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20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
新的内存颗粒最大的亮点是[b]采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造[/b]，几乎达到了包括相变内存在内的[b]所有DDR内存以及NAND闪存的极限[/b]。
相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有[b]断电不掉数据，耐久性好，速度快[/b]等优点；根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。
预计三星将在明年2月在美国旧金山召开的ISSCC会议上公布这种新内存的具体细节。
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三星最早造出的512Mbit相变内存颗粒采用60nm工艺制程

韩国棒子的东西真的非常讨厌，哪怕他现在是世界第二吧

不知道有什么用啊？...

貌似它还没资格做世界第二

期待，希望内存能更好用，断电保存挺不错的

虽说棒子很讨人厌，但是不得不说以现在的生产水平来说，生产的东西很好，这是没有办法的事情，只能习惯了。
真希望国内有高手制造更好的东西，那就真的扬眉吐气了。

又是韩国棒子，你说我们堂堂天朝在这些技术上怎么就一点拿得出手的东西都没有呢？

三星太牛了，以前几年很火的MRAM磁内存最近怎么没有声音了