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世界首颗！三星10nm FinFET工艺SRAM面世[2P]

据韩国媒体最新报道，三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于10nm FinFET工艺的SRAM。其实IBM半导体联盟早在今年7月就制造了世界首个10nm的晶圆，但由于10nm工艺的技术难题，各大半导体厂家都相继推迟了它们的10nm工艺计划。
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所谓的SRAM中文译名是静态随机存取存储器，大多数用于CPU缓存，基于10nm的SRAM相比于14nm而言，其面积可减少30%左右，这意味着将一定程度的降低CPU的功耗以及发热，同时可以以更小的面积塞进更多缓存，可提高CPU的性能。
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就目前各家的10nm进展而言，IBM的商用10nm工艺最快也要2018年才面世，Intel的10nm也推迟到了2017年，台积电方面曾宣布将在2017年第一季度量产10nm CPU，而根据三星目前的计划以及进展，10nm的量产CPU最快可在2016年底实现，也许Galaxy S8还能赶上10nm SoC的首发呢。

三星具有前瞻性,中国很多企业该向三星学习,
这些基础性科技真得能决定其它技术的发展变化。

实验性质的7nm乃至5nm什么的，intel可能早就在做了，只是离商业化有些远而已或者目前的进展无法商业化，现在都还无法忘记当年intel放出来的80核心多核处理器时候的震撼。intel，真黑科技。