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[国外] 图揭英特尔制造工艺:究竟有何过人之处?[2P]

风语者·

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1楼 大 中 小 发表于 2014-8-25 14:35  只看该作者
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图揭英特尔制造工艺:究竟有何过人之处?[2P]

日本同行PCWatch近日对Intel新工艺做了一番解析，更加凸显了世界第一芯片巨头的强悍。

Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管，14nm上将进化到第二代，其他厂商则会陆续上马类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。

来看看几个工艺的间距数据：



Intel 14nm的栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22％、35％。

相比之下，台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，前者只相当于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而内部互联最小间距则都是64nm，相比于Intel大了23％。

这些间距越小，就可以把晶体管做得更小、更密，对于电路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。


Intel近几代工艺进化史

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qwerter380

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2楼 大 中 小 发表于 2014-8-25 16:38  只看该作者
计算机硬件的发展以前一直是按照摩尔定律推进的
每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，但价格不变！
可是看看现在，已经很难达到这个速度了！
增长是有极限的，照目前这个事态，电子计算机已经快达到技术的极限了
再往小的做，电子的运动将会受影响。
下一步的方向，将是全光子计算！让我们一块期待吧
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  • 魔 金币 +5 送红包!谢谢支持!非常感谢! 2014-8-25 19:49

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long53103422

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发帖学徒

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3楼 大 中 小 发表于 2014-8-26 01:48  只看该作者
用过AMD的就再也不想用了！

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